Модули на основе IGBT-транзисторов
Модули построены на транзисторах с пиковым напряжением до 1200 В . Модули представлены сборками полумостов, верхних и нижних ключей, встречновключённых транзисторов, Н-мостов и трёхфазных инверторов. Модули могут работать в преобразователях с током нагрузки до 400 А.
| Наименование прибора |
[{{f.unit}}] | |
|---|---|---|
| фильтр | ||
| {{g.header}} |
|
[{{f.unit}}] {{g.params[f.id]}} |
